Redaktion og opdatering af indholdet på denstoredanske.dk er indstillet pr. 24. august 2017. Artikler og andet indhold er tilgængeligt i den form, der var gældende ved redaktionens afslutning.
Den Store Danske bliver fra efteråret 2020 opdateret af Foreningen lex.dk.

  • Artiklens indhold er godkendt af redaktionen

halvlederteknologi (Integrerede kredse - Dotering)

Oprindelig forfatter PJ Seneste forfatter Redaktionen

af ønskede urenheder for at fremstille enten n- eller p-type halvlederområder foretages enten ved termisk diffusion i en højtemperaturovn, ved ionimplantation eller i forbindelse med den epitaksiale dyrkningsproces. For at konstruere komplekse integrerede kredse må n- og p-doterede områder placeres i naboområder nær halvlederens overflade.

I termisk diffusion udsættes de områder af halvlederens overflade, som skal doteres, for en koncentration af det doterende materiale ved høj temperatur. Bor og fosfor er hyppigt anvendte doteringsmaterialer, som kan introduceres ved 800-1200 °C. Doteringsmaterialerne trænger ind i halvlederen ved diffusion drevet af koncentrationsgradienten. Områder, som ikke skal doteres, er under processen dækket af en uigennemtrængelig film (diffusionsmaske).

Når der til mindre komponenter kræves skarpere profiler mellem doteringsområderne, større præcision i doteringskoncentrationen eller færre højtemperaturbehandlinger, anvendes ionimplantation. Ioner af doteringsmaterialet accelereres til energier på 10-500 keV og rettes mod den afmaskede halvlederoverflade. Indtrængningsdybden afhænger af ionenergien, idet ionerne nedbremses successivt ved stød mod halvlederens atomer og sluttelig finder en plads i gitteret. Undervejs er der ved stødene skabt uorden i gitteret, men disse skader kan udbedres ved termisk udglødning ved ca. 800 °C.

Annonce

Referér til denne tekst ved at skrive:
Palle Jeppesen: halvlederteknologi (Integrerede kredse - Dotering) i Den Store Danske, Gyldendal. Hentet 26. februar 2020 fra http://denstoredanske.dk/index.php?sideId=88341